1月5日，A股市場迎來新年開門紅，上證指數(shù)時隔34個交易日后盤中重回4000點(diǎn)關(guān)口。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈同步震蕩拉升，設(shè)備、材料、晶圓代工等細(xì)分方向表現(xiàn)亮眼，東微半導(dǎo)、矽電股份、中微公司等多股漲幅超10%，存儲芯片概念更是強(qiáng)勢走高，雷科防務(wù)漲停，江波龍、上海新陽等跟漲。在此背景下，國產(chǎn)DRAM龍頭企業(yè)長鑫科技科創(chuàng)板IPO申請獲受理的消息，更是成為資本市場焦點(diǎn)，其填補(bǔ)A股DRAM IDM 企業(yè)空白的稀缺屬性，更是為國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)的破局之路寫下關(guān)鍵注腳。

　　A股唯一DRAM IDM企業(yè)即將上市

　　市場關(guān)注焦點(diǎn)在于，若長鑫科技成功登陸科創(chuàng)板，將填補(bǔ)A股市場DRAM IDM(垂直整合制造)企業(yè)的關(guān)鍵空白，成為A股市場中唯一覆蓋DRAM芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試全產(chǎn)業(yè)鏈的上市企業(yè)，這一標(biāo)的的稀缺屬性在當(dāng)前資本市場中顯得尤為突出。

 

　　在半導(dǎo)體行業(yè)版圖中，DRAM賽道兼具技術(shù)壁壘高、市場集中度高的“雙高”特征，而IDM模式因貫穿全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，對資金儲備、技術(shù)積累、產(chǎn)能管理均提出極高要求。放眼全球，僅三星、SK 海力士、美光三家巨頭能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定運(yùn)營，即便是這些頭部廠商，在成長階段也經(jīng)歷了長期的持續(xù)性資金投入，才逐步建立起穩(wěn)固的市場競爭力。

　　反觀國內(nèi)市場，北京君正、東芯半導(dǎo)體等企業(yè)雖涉足DRAM業(yè)務(wù)，但大多聚焦于前端芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，并不具備全產(chǎn)業(yè)鏈整合能力。而長鑫科技作為中國規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)、布局最全面的DRAM研發(fā)設(shè)計(jì)制造一體化企業(yè)，在合肥、北京兩地布局3座12英寸DRAM晶圓廠，已構(gòu)建起DDR系列與LPDDR系列并行的多元化產(chǎn)品矩陣，可匹配服務(wù)器、移動設(shè)備、個人電腦、智能汽車等多領(lǐng)域的應(yīng)用需求，其市場定位具備極強(qiáng)的不可替代性。

　　從全球市場格局來看，DRAM領(lǐng)域長期由三大巨頭主導(dǎo)，2024年三星、SK海力士、美光合計(jì)占據(jù)超90% 的市場份額。成立于2016年的長鑫科技，憑借持續(xù)高強(qiáng)度的研發(fā)投入與快速的產(chǎn)品迭代，僅用十年時間走完了國際頭部企業(yè)數(shù)十年的技術(shù)積累之路，實(shí)現(xiàn)中國大陸DRAM產(chǎn)業(yè)從技術(shù)空白到近乎追平國際頭部水平的歷史性跨越，成功躋身全球第四大DRAM 廠商陣營。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2025年第二季度長鑫科技全球市場份額已提升至3.97%，成為國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)崛起的中堅(jiān)力量。

　　一直以來，長鑫科技采用“跳代研發(fā)”策略，2019年9月首次推出自主設(shè)計(jì)生產(chǎn)的8Gb DDR4產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)DRAM“從零到一”的突破;此后快速推進(jìn)產(chǎn)品迭代，2025年年底先后推出最新產(chǎn)品LPDDR5X和DDR5，LPDDR5X系列產(chǎn)品速率更是突破10667Mbps，較上一代提升66%;推出首款國產(chǎn)DDR5產(chǎn)品速率高達(dá)8000Mbps，單顆最大容量24Gb。最新產(chǎn)品性能均處于國際領(lǐng)先梯隊(duì)。截至2025年6月30日，長鑫科技共擁有5589項(xiàng)專利，其中境內(nèi)專利3116項(xiàng)、境外專利2473項(xiàng)。同時，由4653名研發(fā)人員組成的核心團(tuán)隊(duì)(占員工總數(shù)超30%)，正持續(xù)推動企業(yè)向技術(shù)深水區(qū)探索。

 

　　多家券商機(jī)構(gòu)對長鑫上市的產(chǎn)業(yè)價(jià)值給予高度認(rèn)可。財(cái)通證券認(rèn)為，AI驅(qū)動的服務(wù)器需求正快速推高DRAM消耗量與價(jià)格，而長鑫存儲作為國產(chǎn)DRAM龍頭，在DDR5/LPDDR5X等領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破并加速出貨，其上市進(jìn)程將獲得強(qiáng)勁行業(yè)周期支撐。在美國、日本持續(xù)收緊半導(dǎo)體設(shè)備出口管制的背景下，長鑫將深度帶動國產(chǎn)設(shè)備與材料供應(yīng)鏈。產(chǎn)業(yè)鏈上的中微公司、北方華創(chuàng)、拓荊科技、中科飛測、華海清科、芯源微、富創(chuàng)精密等公司，有望獲得更多訂單，共同推進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化突破。

　　隨著長鑫科技科創(chuàng)板IPO申請獲上交所受理，其作為A股“存儲芯片第一股”的上市進(jìn)程，被視作中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)在資本市場邁出的關(guān)鍵一步。

　　穿越行業(yè)低谷，盈利迎來拐點(diǎn)

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兼具周期性、重資產(chǎn)、技術(shù)迭代快的特征，企業(yè)在產(chǎn)能爬坡與技術(shù)升級并行階段出現(xiàn)虧損，是行業(yè)普遍現(xiàn)象。三星半導(dǎo)體曾連續(xù)虧損近十年，SK 海力士涉足DRAM領(lǐng)域后九年才實(shí)現(xiàn)首次盈利，即便是頭部巨頭，也需耗費(fèi)近十年時間方能穿越周期低谷。

　　2023年，DRAM行業(yè)進(jìn)入深度調(diào)整期，產(chǎn)品價(jià)格暴跌，正值產(chǎn)能爬坡關(guān)鍵期的長鑫科技，受巨額固定資產(chǎn)折舊與研發(fā)投入影響，凈利潤-192.25億元。面對行業(yè)迭代與競爭壓力，長鑫科技憑借堅(jiān)定的戰(zhàn)略定力持續(xù)加碼研發(fā)，2022年至2025年上半年累計(jì)研發(fā)投入達(dá)188.67億元，占累計(jì)營收的33.11%，2025 年上半年研發(fā)費(fèi)用率 23.71%，顯著高于行業(yè)頭部平均水平。

　　憑借扎實(shí)的抗風(fēng)險(xiǎn)能力與精準(zhǔn)布局，長鑫科技的盈利拐點(diǎn)快速到來，扭虧節(jié)奏遠(yuǎn)超國際巨頭初期發(fā)展進(jìn)程。招股書顯示，2022—2024年，公司營收分別為82.87億元、90.87億元、241.78億元。2025年1—9 月營收躍升至320.84億元，同比增長近100%，大幅超越2024年全年規(guī)模。盈利端更實(shí)現(xiàn)根本性反轉(zhuǎn)，2025年預(yù)計(jì)全年凈利潤20億—35億元，扣非歸母凈利潤28億—30億元，標(biāo)志著這家全球第四大DRAM 廠商成功走出周期低谷，經(jīng)營杠桿與規(guī)模效應(yīng)逐步釋放。若2026年市場均價(jià)維持穩(wěn)定，伴隨產(chǎn)能提升，公司將正式邁入業(yè)績兌現(xiàn)新階段。

　　市場對長鑫科技這類硬科技企業(yè)的估值，早已超越短期利潤，更看重其突破產(chǎn)業(yè)壁壘的長期價(jià)值，盈利拐點(diǎn)的確立正加速將其稀缺地位轉(zhuǎn)化為增長動能。

　　當(dāng)前A股半導(dǎo)體板塊熱度攀升，疊加牛市氛圍持續(xù)升溫，長鑫科技IPO進(jìn)程已然成為資本市場的核心關(guān)注點(diǎn)。從市場視角來看，這一關(guān)注度的背后，核心邏輯在于長鑫科技的稀缺性與產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略價(jià)值的雙重共振。作為A股市場中唯一的DRAM IDM(垂直整合制造)標(biāo)的，其填補(bǔ)了A股在該關(guān)鍵領(lǐng)域的空白，這種稀缺屬性在當(dāng)前資金追捧硬科技的浪潮下，天然具備高吸引力。